| 专利名称 | 刻蚀系统工艺腔室 | 申请号 | CN201130402092.3 | 专利类型 | 外观设计 | 公开（公告）号 | CN301890737S | 公开（授权）日 | 2012.04.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 席峰;胡冬冬;屈芙蓉;刘训春;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 | 主分类号 | 15-09 | IPC主分类号 | 15-09 | 专利有效期 | 刻蚀系统工艺腔室 至刻蚀系统工艺腔室 | 法律状态 | 说明书摘要 | 1.本外观设计产品的名称：刻蚀系统工艺腔室。2.本外观设计产品的用途：用于中性粒子刻蚀系统、也可用于等离子刻蚀、去胶、清洗、沉积、注入、键合等带有预腔室结构的半导体工艺系统。3.本外观设计的设计要点：外部形状。4.最能表明设计要点的图片或者照片：立体图。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障