| 专利名称 | 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 | 申请号 | CN200710119474.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101355119B | 公开（授权）日 | 2010.08.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 伊晓燕;王良臣;王国宏;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 专利有效期 | 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 至采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法，包括：在衬底上依次外延生长N型接触层、有源区和P型接触层；刻蚀，将器件隔离；在P型接触层上制作ITO光学膜；在ITO光学膜上制作光学高反膜，部分区域裸露；在光学高反膜上和裸露的ITO膜区域制作金属膜，构成器件的P电极；将绝缘的衬底去除，裸露出氮化镓N型接触层；在氮化镓N型接触层表面制作ITO导电光学减反膜；对ITO导电光学减反膜进行表面粗化处理；在ITO导电光学减反膜上制作金属电极；在芯片表面沉积介质膜，以进行表面钝化保护；将金属电极区域的介质膜去除，进行压焊封装，完成器件的制作。 |
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