| 专利名称 | 双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法 | 申请号 | CN201010289920.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102412179A | 公开（授权）日 | 2012.04.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张超;宋志棠;万旭东;刘波;吴关平;张挺;杨左娅;谢志峰 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法 至双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法，该方法首先在衬底上形成重掺杂的第一导电类型区域和高掺杂的第二导电类型区域，生长外延层，然后通过深沟道刻蚀形成二极管阵列字线间的隔离和垂直于深沟道方向的浅沟道刻蚀形成位线间的隔离，最后在深沟道和浅沟道隔离围成的区域通过离子注入的方法形成独立的二极管阵列单元。本发明还提出了基于上述双浅沟道隔离的外延二极管阵列的相邻字线和位线间串扰电流的抑制方法。本发明可用于二极管驱动的高密度大容量存储器，如相变存储器、电阻存储器、磁性存储器和铁电存储器等；其方法与传统的CMOS工艺完全兼容，二极管阵列在外围电路形成之前完成，其热制程不会造成外围电路的漂移，解决了实现高密度、大容量、嵌入式相变存储器的技术难题。 |
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