| 专利名称 | 一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法 | 申请号 | CN201110318140.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102412017A | 公开（授权）日 | 2012.04.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 高召顺;马衍伟;王雷;姚超;齐彦鹏;王春雷;张现平;王栋樑 | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B12/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法 至一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法，在铁基超导体块材或线带材的先驱粉或原料粉中添加锡、含锡化合物或含锡合金，混合均匀后，将先驱粉压制成块，或填入金属管、复合金属管或合金管中拉拔轧制成线带材。再将块材或线带材在保护气氛或者真空条件下，经200-1300℃焙烧1秒钟-100小时。本发明制备的铁基超导体具有优异的超导特性：高的临界电流特性、高的上临界场和不可逆场。 |
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