| 专利名称 | 低功耗高稳定性的相变存储单元及制备方法 | 申请号 | CN200910201171.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101752497A | 公开（授权）日 | 2010.06.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;宋三年 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 低功耗高稳定性的相变存储单元及制备方法 至低功耗高稳定性的相变存储单元及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供的一种低功耗高稳定性的相变存储单元，包括基底层、相变材料区、电极以及将所述相变材料区全部包裹的介质材料包覆层，且所述介质材料包覆层的材料为不与所述相变材料发生反应的材料，相变材料区的相变材料可为纯相变材料，也可为相变材料和介质材料构成的掺杂材料，或者为相变材料和介质材料构成的复合材料等。本发明还提供了制备低功耗高稳定性的相变存储单元的方法，所形成的相变存储单元可以有效抑制相变材料中各元素的扩散和挥发，有利于材料性能的稳定，同时抑制了相变材料晶粒的长大，提升了材料的电阻率，降低了器件功耗。 |
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