| 专利名称 | 具有纳米级贵金属和二氧化硅内核的中空二氧化硅亚微米球及其制备方法 | 申请号 | CN201010252663.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102198929A | 公开（授权）日 | 2011.09.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所;北京华美精创纳米相材料科技有限责任公司 | 发明（设计）人 | 唐芳琼;谭龙飞;陈东;刘惠玉 | 主分类号 | B82B1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;B01J23/52(2006.01)I;B01J23/50(2006.01)I;B01J23/44(2006.01)I;B01J23/42(2006.01)I;B01J21/08(2006.01)I;C07C209/36(2006.01)I;C07C211/51(2006.01)I;C07C213/02(2006.01)I;C07C215/76(2006.01)I | 专利有效期 | 具有纳米级贵金属和二氧化硅内核的中空二氧化硅亚微米球及其制备方法 至具有纳米级贵金属和二氧化硅内核的中空二氧化硅亚微米球及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及具有纳米级贵金属和二氧化硅内核的中空二氧化硅亚微米球及其制备方法。本发明是将具有二氧化硅内核的中空二氧化硅亚微米球用碱性溶液浸泡后再加到一定浓度的各种贵金属前驱体溶液中，加热还原即可得到在所述的中空二氧化硅亚微米球中同时具有粒径为20～600nm的可移动的球形二氧化硅内核，和粒径为2～100nm的贵金属颗粒内核；所述的中空二氧化硅亚微米球的直径范围是50～1000nm，壳层厚度为5～100nm，壳层具有介孔结构，介孔的平均孔径为1～10nm，该亚微米球的比表面积为110～500m2/g。 |
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