| 专利名称 | p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 | 申请号 | CN200810240351.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101752444A | 公开（授权）日 | 2010.06.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张小宾;王晓亮;肖红领;杨翠柏;冉军学;王翠梅;李晋闽 | 主分类号 | H01L31/075(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/075(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 至p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及无机光电技术领域，公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法，该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂InxGa1-xN层、非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构和p型掺杂InxGa1-xN层。本发明采用InxGa1-xN三元合金材料和量子点结构，利用该合金带宽可调节的优点，结合量子点超晶格结构的优势，通过严格控制生长条件，得到高质量的以InyGa1-yN量子点为i层和InxGa1-xN为势垒层的p-i-n结构材料，从而可在理论上达到63％的极限转换效率。 |
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