| 专利名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010127009.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102194693A | 公开（授权）日 | 2011.09.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;钟汇才;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件及其制造方法 至一种半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，是在栅极替代工艺中形成栅极时，在形成功函数金属层和第一金属层以后，去除一部分的功函数金属层和第一金属层；而后在去除部分填充形成第二金属层。这种栅极结构的器件，由于去除了一部分的本身具有高电阻率的功函数金属层，并填充了本身具有低电阻率的第二金属层，这样大大减小了栅极整体的电阻率，进而提高了器件的AC性能。 |
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