| 专利名称 | 一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置 | 申请号 | CN201010152394.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101805927A | 公开（授权）日 | 2010.08.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈博源;陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/36(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置 至一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明属于晶体生长领域，具体涉及一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置。该生长装置包括真空室、石墨坩埚和感应线圈。本发明的生长装置基于物理气相传输(PVT)技术生长高纯半绝缘碳化硅体单晶，无需特殊的生长工艺。其主要特点为：生长炉的侧壁使用多层(至少三层)结构，侧壁内具有两个以上的相互独立的空间，分别用于通冷却水和高纯惰性气体(一般是高纯氩气)，或通冷却水和抽真空。采用本发明的生长装置可以有效地将石墨坩埚和空气隔绝，避免生长过程中空气中的氮气进入石墨坩埚，有效地控制氮元素掺入生长的碳化硅晶体，得到高纯半绝缘碳化硅体单晶。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障