| 专利名称 | 具有快速稳定特性的互补-金属-氧化物半导体恒电位仪 | 申请号 | CN200810239334.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101750446A | 公开（授权）日 | 2010.06.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 杨海钢;吴其松;崔秀海 | 主分类号 | G01N27/416(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/416(2006.01)I | 专利有效期 | 具有快速稳定特性的互补-金属-氧化物半导体恒电位仪 至具有快速稳定特性的互补-金属-氧化物半导体恒电位仪 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有快速稳定特性的互补-金属-氧化物半导体恒电位仪，涉及传感器微弱电流检测技术，包括一个跨导运算放大器(OTA)，一个NMOS管，一个用于快速充电的开关，片内和片上稳压和滤噪声电容。跨导放大器(OTA)输出端接NMOS的栅极，NMOS的源极接运算放大器的反相输入端，组成一个电流传输器，NMOS漏极作为恒电位仪的输出端；开关跨接在跨导放大器的正、反相输入端，开关的控制端接系统的置位端。本发明能增强传感器工作电极电压的稳定，并能使电路在检测任何大小的电流时都能快速进入检测状态，本发明的恒电位仪使NMOS漏端更接近理想的恒流源输出。 |
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