| 专利名称 | HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法 | 申请号 | CN200810040201.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101320686 | 公开（授权）日 | 2008.12.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王新中;于广辉;林朝通;曹明霞;巩航;齐鸣;李爱珍 | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/205(2006.01)I | 专利有效期 | HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法 至HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种氢化物气相外延生长氮化镓膜中采用二氧化硅纳米粒子 点阵掩膜及其制备方法，其特征在于采用了SiO2纳米粒子点阵作为GaN横 向外延过生长的掩膜。先在GaN模板上电子束蒸发一层金属Al，再采用电化 学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，接着沉积一层介质SiO2层，然后用 酸或碱溶液去除AAO，这样就在GaN模板上得到了SiO2纳米粒子的点阵分 布，经过清洗后，最后把这个模板作为衬底，置于HVPE反应腔内生长GaN 厚膜。本发明不仅大大简化了光刻制作掩膜的工艺，而且将掩膜尺寸缩小到 纳米量级，金属Al和SiO2层均可采用电子束蒸发、溅射等方法来制备，适 合于批量生产时采用。 |
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