| 专利名称 | 一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法 | 申请号 | CN201010101396.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101777389A | 公开（授权）日 | 2010.07.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 蔡道林;宋志棠;陈后鹏;陈小刚 | 主分类号 | G11C29/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C29/00(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法 至一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种获得相变存储器单元相变区半径的系统及方法，该方法包括以下步骤：步骤一，根据相变存储器单元的结构建立电压、电流、温度、时间和相变存储器单元相变区半径的关系模型；步骤二，对相变存储器单元进行Set操作，获取Set操作的电压-电流曲线；步骤三，通过所述Set操作的电压-电流曲线获取所述关系模型的中间参数，得出相变存储器单元相变区半径。本发明通过对相变区半径的获得确定相变的范围，为相变存储器单元的疲劳特性研究提供支持，同时也为相变存储器单元的保持特性研究提供一种手段。 |
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