| 专利名称 | 一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法 | 申请号 | CN201010022600.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101777388A | 公开（授权）日 | 2010.07.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 蔡道林;宋志棠;陈后鹏;陈小刚 | 主分类号 | G11C29/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C29/00(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法 至一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种获得相变存储器相变电阻晶化率的方法，该方法为利用不同的电压对相变存储器进行Reset操作，然后进行Set操作，测得Reset操作的电压-电阻曲线，Set操作的电压-电流曲线，和Set态的电流-电压曲线，并根据相变存储器的电阻-电压-电流关系方程最终获得晶化率的值。本发明在相变电阻被电流或电压加热发生相变时，其相变区电阻晶化率进行计算，并通过对相变区电阻晶化率的计算确定加热电流或电压与加热时间的关系；本发明还可以为相变过程中阻值的变化提供理论指导，同时为多值存储的研究提供了一种解决方案。 |
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