| 专利名称 | 一种斜面光接收的光电探测器 | 申请号 | CN200710099874.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101315955 | 公开（授权）日 | 2008.12.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 申华军;李志华;杨成樾;万里兮;李宝霞 | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 专利有效期 | 一种斜面光接收的光电探测器 至一种斜面光接收的光电探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及光互联通信的光电探测器件技术领域，公开了一种斜面光 接收的光电探测器，该光电探测器光接收的有源区位于半导体衬底被腐蚀 后形成的V型槽的一个斜面上，有源区从斜面表面向外依次包括缓冲层、 n型欧姆接触层、本征层和p型欧姆接触层，有源区的上表面为单电极或 双电极。本发明提供的斜面光接收的光电探测器，有源区位于器件的斜面 上，能够与各种类型的电路板上的光波导实现直接光路耦合，不需要光路 传输方向的转变，形成简便高效的光探测接收端，简化了光路的耦合对准。 由于不需要光路传输方向的转变，因而也就不需要精密的光路对准装置， 使得工艺和对准的难度大大降低，成本下降，并减少了光损耗，提高了耦 合效率。 |
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