| 专利名称 | 一种自旋晶体管 | 申请号 | CN200710099739.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101315948 | 公开（授权）日 | 2008.12.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘东屏;温振超;瑞哈娜;莎麦拉;韩秀峰 | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/66(2006.01)I | 专利有效期 | 一种自旋晶体管 至一种自旋晶体管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种全金属性PNP、NPN型自旋晶体管器件。该自旋晶体 管是多层膜结构的，它包括发射极层、基极层和集电极层，还包括形成在所述 发射极层和基极层之间的第一铁电体层，形成在所述基极层和所述集电极层之 间的第二铁电体层，所述发射极层、基极层和集电极层采用金属性或半金属性 材料。本发明克服了已有的自旋晶体管器件不易于操控、放大倍率低的不足， 而且本发明是一种稳定工作于室温环境、具有抗辐射性的完全基于PN结工作 原理的自旋晶体管。 |
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