| 专利名称 | 动态相变存储器 | 申请号 | CN200810040851.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101315811 | 公开（授权）日 | 2008.12.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 专利有效期 | 动态相变存储器 至动态相变存储器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种动态相变存储器，所述存储器的存储介质采用具有较低熔点和较低结 晶温度的相变材料；所述相变材料的熔点在200℃到640℃之间，且其结晶温度在40℃到120℃ 之间。所述存储器还包括定期刷新模块，用以定期地对存储有高电阻态的存储单元进行数据 刷新，将电阻下降的存储单元重新设定到高电阻态。所述存储器用较低的功耗对器件进行编 程。本发明提出的动态相变存储器使动态随机存储器件大大降低了所需要刷新的次数，并且 与传统的PCRAM相比具有更低的功耗；同时由于采用小信号进行编程，所以动态相变存储 器的疲劳特性大为改善。 |
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