| 专利名称 | 表面等离子体共振成像金膜点微阵列的制备方法 | 申请号 | CN200810050885.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101315330 | 公开（授权）日 | 2008.12.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 董绍俊;王建龙 | 主分类号 | G01N21/55(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/55(2006.01)I;G01N21/41(2006.01)I | 专利有效期 | 表面等离子体共振成像金膜点微阵列的制备方法 至表面等离子体共振成像金膜点微阵列的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明旨在提供一种表面等离子体共振成像金膜点微阵列的制 备方法。首先在3-氨基丙基三甲氧基硅烷修饰的玻璃片上自组装一 层直径为2.5纳米的金胶纳米粒子单层作为催化模板。然后以透明胶 片高精度打印的点阵阵列图样为掩模对上述金纳米粒子修饰的玻璃 片进行光学刻蚀，制备出金纳米粒子的微阵列。最后采用无电镀金技 术在纳米尺度范围内控制金纳米粒子点微阵列的均匀增长，从而构建 所需的金膜点微阵列，微阵列中金点的大小和间距可方便地由掩模来 控制，金点的厚度通过调节无电镀金的时间来控制。 |
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