| 专利名称 | 微纳型半导体边发射FP激光器及其制作方法 | 申请号 | CN201010101999.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101764353A | 公开（授权）日 | 2010.06.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 车凯军;黄永箴 | 主分类号 | H01S5/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/10(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I | 专利有效期 | 微纳型半导体边发射FP激光器及其制作方法 至微纳型半导体边发射FP激光器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种微纳型半导体边发射FP激光器及其制作方法。该边发射FP激光器由下至上依次包括n型衬底(1)、下限制层(2)、有源层(3)、上限制层(4)、P型欧姆接触盖层(5)、侧面绝缘层(6)和正负电极层(7)，其中侧面绝缘层(6)和正负电极层(7)中的P型电极层用于侧向限制光场，增强腔侧向的光场或模式限制，降低腔激射阈值，提高腔端面出射效率和激光器的输出的功率。利用本发明，克服了微纳型半导体激光器定向输出的问题，并且易于分析激光器出射的FP模式，光电集成中激光光源将在二维方向上达到纳米尺寸，提高了光电器件的集成度。 |
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