| 专利名称 | 一种相变存储器器件单元结构及其制作方法 | 申请号 | CN200810041393.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101335328 | 公开（授权）日 | 2008.12.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 吴良才;宋志棠;饶峰;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种相变存储器器件单元结构及其制作方法 至一种相变存储器器件单元结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种相变存储器器件单元结构及其制作方法，其特征在于将 器件单元中的相变材料和加热电极的横向尺度控制在同一纳米区域范围，构 成小加热电极操作小相变材料的结构。其制作方法是首先在衬底上制备介质 材料层，然后通过标准的深亚微米工艺或FIB技术在介质材料层中制作出相 变存储单元的加热电极，接着进行化学机械抛光，形成镶嵌在介质材料中的 纳米加热电极，最后将加热电极顶部刻蚀掉一定厚度，从而在电极上端形成 介质孔洞，在孔洞中填充相变材料，引出上电极，最终形成同时具有小电极 和小相变材料的存储单元结构。优点是将相变材料限制在加热电极上端的介 质孔洞里，阻止了相变材料在反复擦写过程中的扩散，更有利于降低存储单 元的功耗。 |
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