| 专利名称 | 一种具有内增益的紫外探测器及制备方法 | 申请号 | CN200810041159.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101335308 | 公开（授权）日 | 2008.12.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 王玲;许金通;袁永刚;包西昌;张文静;李超;张燕;李向阳 | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有内增益的紫外探测器及制备方法 至一种具有内增益的紫外探测器及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有内增益的紫外探测器及其制备方法。它通过多次表 面处理、双次钝化而减小大反偏电压下的暗电流，提高器件的大反偏电压下性 能。利用这种方法得到的探测器具有稳定的内增益，可以达到被探测信号在探 测器内部被放大的目的，整个测试系统的信噪比也被相应的提高。本发明涉及 的探测器具有p-i-n结构，其制备方法包括刻蚀台面、电极生长、钝化层的制 备等。相对于普通GaN基紫外探测器，本发明所提供的器件具有内增益，暗 电流小，性能稳定，制备工艺简单，探测信噪比高，可以对弱紫外信号进行探 测等优点。 |
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