| 专利名称 | 一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法 | 申请号 | CN200710118004.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101335166 | 公开（授权）日 | 2008.12.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 阴生毅;张永清;张洪来;王宇 | 主分类号 | H01J1/146(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J1/146(2006.01)I;H01J1/20(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法 至一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法，涉及微 波电真空器件制造技术。阴极三元合金膜，为钨铼锇三元合金膜。一种制 备覆膜浸渍扩散阴极的方法，A.在浸渍发射材料之前，用表面溅射法在 阴极表面先溅射沉积铼膜，再溅射沉积锇钨膜，接下来浸渍发射材料，利 用发射材料的高温浸渍过程，实现阴极表面膜层的合金化；B.浸渍发射 材料之后，利用钨铼锇三元合金靶，在阴极表面溅射沉积钨铼锇三元合金 膜。用本发明的阴极三元合金膜制备的阴极，可使阴极发射电流密度成倍 提高，加大了阴极发射能力，并可较容易地制备成各种规格并易于实现批 量生产。本发明阴极可应用于各类微波电真空器件，也可在电视机的电子 管以及电子显微镜中使用。 |
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