| 专利名称 | 相变存储器 | 申请号 | CN200810041414.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101335046 | 公开（授权）日 | 2008.12.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 富聪;宋志棠;蔡道林;封松林 | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I;G11C16/08(2006.01)I | 专利有效期 | 相变存储器 至相变存储器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种相变存储器，包括若干存储单元、列选通电路与译码器、读比较电阻、 灵敏放大器、读写驱动电路、行译码器；所述各存储单元的位线接入所述列选通电路与译码 器，各存储单元的字线接入所述行译码器；所述列选通电路与译码器连接所述读写驱动电路、 及灵敏放大器，所述读写驱动电路通过读比较电阻连接所述灵敏放大器；所述各存储单元包 括一个选通二极管及至少两个相变存储单元；所述各相变存储单元并联后与所述选通二极管 连接。本发明的相变存储器采用1DnR存储单元结构，从而减少了选通二极管占用的芯片面积。 |
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