晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置

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专利名称 晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置 申请号 CN200810033938.8 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101311344 公开(授权)日 2008.11.26 申请(专利权)人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明(设计)人 楼祺洪;袁志军;周军;董景星;魏运荣;赵宏明 主分类号 C30B29/06(2006.01)I IPC主分类号 C30B29/06(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I 专利有效期 晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置 至晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置 法律状态 专利申请权、专利权的转移 说明书摘要 一种晶粒尺寸可控的多晶硅薄膜制备及检测装置,其特点是由激光源、 分光器、光束整形系统、多晶硅薄膜基片、光学聚焦系统、受激拉曼光谱接 收系统、拉曼数据分析并反馈系统和移动工作台组成,本发明可以为多晶硅 薄膜的制备的同时进行在线检测,为多晶硅薄膜的制备提供最佳的能量密度, 所述的检测为非破坏性测试,具有测试成本低、检测快捷等优点;更重要的 是,本装置可以精确地检测多晶硅薄膜的粒度,提高优良率并增加产能。适 用于产业化多晶硅薄膜的制备和实时检测,可精确检测晶粒大小并对激光能 量密度实时监控。

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