| 专利名称 | 原位测量源炉中源材料质量的方法 | 申请号 | CN200810035437.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101311298 | 公开（授权）日 | 2008.11.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 龚谦;王海龙 | 主分类号 | C23C14/24(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/24(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I | 专利有效期 | 原位测量源炉中源材料质量的方法 至原位测量源炉中源材料质量的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种分子束外延(MBE)技术中原位测量束源炉中源材料质量 的便捷方法，其特征在于具体步骤是：测量出束源炉升温时的时间——功率曲 线；测量出束源炉降温时的时间——功率曲线；根据时间——功率曲线上的波动 计算源炉中源材料发生相变时吸收或放出的热量值；根据源材料发生相变时 吸收或放出的热量值以及源材料的相变热(熔化热)计算出源材料的质量。 本发明利用分子束外延设备源炉中源材料在加热熔化和降温凝固过程中时间 ——功率曲线会出现相应波动的实验现象，通过分析计算时间——功率曲线波动 对应的输入热量(能量)差值，从而得到束源炉坩埚中源材料的质量。本发 明提供的测量方法对MBE技术在实际中的应用具有重要的意义。 |
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