| 专利名称 | 半导体基底 | 申请号 | CN201190000055.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202513135U | 公开（授权）日 | 2012.10.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/74(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/74(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体基底 至半导体基底 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种半导体基底，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括隔离结构，以隔离至少两个有源区；其特征在于，所述半导体基底还包括：修正半导体区，所述修正半导体区嵌于至少部分数目的所述有源区中，所述修正半导体区材料与所述半导体衬底材料不同，且所述修正半导体区的上表面至少与所述有源区的上表面齐平，所述修正半导体区的下表面高于所述隔离结构的下表面。本实用新型去除了穿过隔离结构进行横向扩散的掺杂离子，保证了半导体器件的阈值电压稳定。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障