| 专利名称 | 提高半导体型碳纳米管发光效率的方法 | 申请号 | CN200710099289.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101308889 | 公开（授权）日 | 2008.11.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 谭平恒;张俊;李桂荣 | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 专利有效期 | 提高半导体型碳纳米管发光效率的方法 至提高半导体型碳纳米管发光效率的方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明一种提高半导体型碳纳米管发光效率的方 法，其特征在于，该方法包括：制备含有不同带隙半 导体型碳纳米管的碳纳米管束；把碳纳米管束准备成 发光器件，选择能量与碳纳米管束中的宽带隙半导体 型碳纳米管的带隙相接近或相等的激发光去激发碳纳 米管束来提高碳纳米管束中窄带隙半导体型碳纳米管 的光致发光效率；或者把碳纳米管束准备成发光器件， 在碳纳米管束两端施加偏压，来提高碳纳米管束中窄 带隙半导体型碳纳米管的电荧光发光效率。 |
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