| 专利名称 | 基于硫系化合物的浪涌保护器件及其制备方法 | 申请号 | CN201210230324.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102751319A | 公开（授权）日 | 2012.10.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈小刚;饶峰;王玉婵;陈后鹏;陈一峰;许林海;宋志棠;周密;王月青 | 主分类号 | H01L29/221(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/221(2006.01)I;H01L21/334(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 基于硫系化合物的浪涌保护器件及其制备方法 至基于硫系化合物的浪涌保护器件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种基于硫系化合物的浪涌保护器件，该浪涌保护器件包括下电极（2）、位于该下电极（2）上的下加热电极（3）、位于下加热电极（3）上的硫系化合物薄膜（5）以及位于所述硫系化合物薄膜（5）上的上电极（6）；所述硫系化合物薄膜（5）下部通过下加热电极（3）与下电极（2）达成电性连接；所述硫系化合物薄膜（5）上部与上电极（6）达成电性连接。本发明还提供一种基于硫系化合物的浪涌保护器件的制备方法。本发明器件利用硫系化合物所特用的阈值导通特性实现过压保护，概念新颖，结构简单，是一种过电保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护器件。 |
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