| 专利名称 | 一种隧穿场效应晶体管及其制造方法 | 申请号 | CN201110100732.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102751325A | 公开（授权）日 | 2012.10.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 许高博;徐秋霞 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 专利有效期 | 一种隧穿场效应晶体管及其制造方法 至一种隧穿场效应晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种隧穿场效应晶体管及其制造方法，包括：半导体衬底；应变层，位于所述半导体衬底上；沟道区，位于所述半导体衬底和应变层中；栅堆叠，位于所述沟道区上，所述栅堆叠包括栅介质层和栅电极层，所述栅介质层位于沟道区上，所述栅电极层位于栅介质层上；源区和漏区，位于所述沟道区两侧且嵌入半导体衬底中，其中，部分源区延伸至所述栅堆叠下方；袋区，位于所述栅堆叠下方源区中并被源区所包裹，在靠近沟道区一侧，袋区与源区边沿重合并与沟道区相接。 |
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