| 专利名称 | 浅沟槽隔离结构、其制作方法及基于该结构的器件 | 申请号 | CN201110099133.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102751229A | 公开（授权）日 | 2012.10.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 闫江 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 浅沟槽隔离结构、其制作方法及基于该结构的器件 至浅沟槽隔离结构、其制作方法及基于该结构的器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及浅沟槽隔离结构、其制作方法及基于该结构的器件。本发明提供一种制作浅沟槽隔离（STI）结构的方法，其特征在于包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成绝缘介质；借助掩膜，刻蚀部分绝缘介质以露出下面的半导体衬底，未刻蚀掉的绝缘介质构成STI区；以及在所述STI区之间的所述半导体衬底上外延生长半导体层作为有源区。通过本发明的方法，既解决了小尺寸沟槽的填充难题，又克服了STI高度差问题。 |
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