| 专利名称 | 一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容及其制备方法 | 申请号 | CN201110101584.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102751094A | 公开（授权）日 | 2012.10.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵宁;王惠娟 | 主分类号 | H01G4/33(2006.01)I | IPC主分类号 | H01G4/33(2006.01)I;H01G4/002(2006.01)I;H01G4/08(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容及其制备方法 至一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容及其制备方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明涉及微电子器件以及系统级封装集成技术领域，具体涉及一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容。所述铁电薄膜电容包括：下部电极；设置于所述下部电极上的硅基底；设置于所述硅基底上的铁电薄膜电介质层；设置于所述铁电薄膜电介质层上的上部电极；所述下部电极与所述硅基底之间形成欧姆接触。本发明还提供一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容的制备方法。本发明在硅基底上形成铁电薄膜电介质层，具有较高的介电常数及较低的厚度，从而获得较大的电容密度，可实现分立式埋入电容；此外，本发明在下部电极和硅基底之间形成欧姆接触，便于电极的引出和连接，提高了同电路板工艺的兼容性。 |
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