| 专利名称 | 钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG及其熔体法晶体生长方法 | 申请号 | CN200810018480.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101307496 | 公开（授权）日 | 2008.11.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 张庆礼;殷绍唐;孙敦陆;刘文鹏;丁丽华;谷长江;李为民;秦清海;万松明 | 主分类号 | C30B29/28(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/28(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I | 专利有效期 | 钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG及其熔体法晶体生长方法 至钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG及其熔体法晶体生长方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明为钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG及其熔体法晶体生长方法，它的分 子式可表为Gd3xY3(1-x)Sc2Ga3(1+δ)O12(x＝0～1，＝-0.2～0.2)，可用Gd2O3、 Y2O3、Sc2O3、Ga2O3，或相应的钆、钇、钪、镓的其他化合物进行配料，只要 能最终化合为Gd3xY3(1-x)Sc2Ga3(1+δ)O12即可；配制好的原料经充分混合、压制 成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热 充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下 降法、温梯法及其他熔体法来进行生长；对于需用籽晶定向生长的熔体法，籽 晶为GYSGG单晶、或钇钪镓石榴石YSGG单晶、或钆钪镓石榴石单晶GSGG。 GYSGG单晶可用作Bi3+掺杂的钇铁石榴石外延薄膜的衬底材料。 |
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