硅基带锁止功能的阈值可调加速度开关传感器及制作方法

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专利名称 硅基带锁止功能的阈值可调加速度开关传感器及制作方法 申请号 CN200710040541.7 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101303366 公开(授权)日 2008.11.12 申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 李昕欣;贾孟军;王跃林 主分类号 G01P15/135(2006.01)I IPC主分类号 G01P15/135(2006.01)I 专利有效期 硅基带锁止功能的阈值可调加速度开关传感器及制作方法 至硅基带锁止功能的阈值可调加速度开关传感器及制作方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及硅基带锁止功能的阈值可调加速度开关传感器及制作方法, 其特征在于所述的加速度开关传感器是由绝缘衬底上的锚区和硅框架、单端 固支在锚区的低阻硅悬臂梁、绝缘衬底上的金属静电驱动导电定极板、悬臂 梁下表面上的绝缘介质层、介质层上金属接触电极、固定金属接触电极以及 信号驱动/检测回路组成。提供的传感器驱动电压与阀值加速度间存在一定关 系且具有锁止功能。同时利用金属桥路通断检测传感器工作状态的信号输出 方式,使利用MEMS制作的加速度开关传感器具有结构简单、体积小、功 耗低、导通电阻小、接口电路方便、输入、输出隔离性好等特点。

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