| 专利名称 | 一种纳米复合相变材料的制备方法 | 申请号 | CN200810038907.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101299454 | 公开（授权）日 | 2008.11.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;刘波;刘卫丽;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11B7/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种纳米复合相变材料的制备方法 至一种纳米复合相变材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种纳米复合相变材料的制备方法。特征在于利用相变材料 中各个原素之间不同的化学性能，在相变材料制备过程中通入适量反应气体， 使相变材料中的一种或者多种元素在材料生长过程中优先与反应气氛反应并 形成固体化合物，与反应剩余相变材料形成复合材料：化合物将相变材料分 隔成形状和大小可控的、均匀的、微小的区域，从而把相变材料的相变行为 限制在小区域内，减小了相变材料的晶粒；同时因为形成的固体化合物与相 变材料间“取长补短”，充分弥补了单一材料的缺点，产生了单一材料所不具 备的优越的性能。纳米复合相变材料应用到相变存储器中，不仅提升了相变 存储器的加热效率，降低了器件的功耗，而且又提高了器件存储速度、数据 保持能力等。 |
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