| 专利名称 | 纳米复合相变材料及其制备方法 | 申请号 | CN200810038906.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101299453 | 公开（授权）日 | 2008.11.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;张挺;刘波;刘卫丽;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11B7/24(2006.01)I;G11B7/26(2006.01)I | 专利有效期 | 纳米复合相变材料及其制备方法 至纳米复合相变材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及纳米复合相变材料以及其制备方法。其特征在于：(1)纳米 复合相变材料中具有相变能力的区域被不具备相变能力的稳定功能材料分散 成尺寸为纳米量级的微小区域。(2)纳米复合相变材料中功能材料和相变材 料层交替生长，功能材料层将各层相变材料层分隔开，形成多层结构。本发 明还包含了纳米复合材料的制备方法与纳米加工的方法。功能材料的分散作 用有效地限制了相变存储器件中相变材料的可逆相变区域，有效降低了晶粒 尺寸；功能材料的存在又降低了复合材料的电导率和热导率，从而提高了器 件的加热效率，降低了器件的功耗，并提升了数据保持能力和疲劳特性等。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障