| 专利名称 | 一种肖特基背结硅太阳能电池 | 申请号 | CN200710304229.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101262023 | 公开（授权）日 | 2008.09.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 赵雷;王文静;刁宏伟 | 主分类号 | H01L31/07(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/07(2006.01)I | 专利有效期 | 一种肖特基背结硅太阳能电池 至一种肖特基背结硅太阳能电池 | 法律状态 | 专利实施许可合同备案的生效、变更及注销 | 说明书摘要 | 一种肖特基背结太阳能电池，包括p型硅衬底(1)，在p型硅衬底(1)背光面上的低功函 数的背电极(2)，以及在p型硅衬底(1)迎光面上的高功函数的前透明导电电极(3)。在p型 硅衬底(1)和背电极(2)之间可加入第一种本征半导体层或绝缘层(4)；亦可在p型硅衬底 (1)和前透明导电电极(3)之间加入第二种本征半导体层或绝缘层(5)和/或p型掺杂半导体 层(6)；在前透明导电电极(3)上还可以具有金属栅线(7)。 |
1、源头对接，价格透明
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