| 专利名称 | 双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元及方法 | 申请号 | CN200810035939.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101262004 | 公开（授权）日 | 2008.09.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 专利有效期 | 双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元及方法 至双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元结 构及其制造方法。在p型或n型导电的第一导电类型的基底上，利用低电阻 的第二导电类型位线作为双极型晶体管的集电极，位线相互之间用较深的浅 沟道隔离(STI)隔开；在位线上方制备基极和第一导电类型的发射极，在同 一位线上形成的双极型晶体管之间用较浅的STI隔开；最后在双极型晶体管 上制备相变存储单元。主要通过离子注入和常规半导体工艺制造出上述双极 型晶体管，并在双极型晶体管上制备存储单元，通过双极型晶体管对存储单 元进行选通和操作。跟以往结构的相变存储单元相比，本发明提供的结构密 度高，制造成本低廉，且一个双极型晶体管还可以对应着多个相变存储单元。 |
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