| 专利名称 | 一种新型焦平面阵列电互连工艺 | 申请号 | CN201210375290.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102881607A | 公开（授权）日 | 2013.01.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 王泰升;鱼卫星;卢振武;孙强 | 主分类号 | H01L21/603(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/603(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种新型焦平面阵列电互连工艺 至一种新型焦平面阵列电互连工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种新型焦平面阵列电互连工艺，属于光电成像技术领域，为了解决焦平面探测器在冷压焊过程中铟柱产生形变而导致热导增大的问题，本发明一种新型焦平面阵列电互连工艺，包括以下步骤：一：焦平面探测器读出电路上的光刻工艺；二：金属膜层的沉积工艺，首先进行镍或铜金属膜的沉积，然后进行铟金属膜的沉积，且镍或铜金属膜层的厚度大于铟金属膜层的厚度；三：读出电路上的光刻胶剥离工艺；四：读出电路上的铟柱回流成球工艺；五：焦平面芯片上的电极制作工艺；六：焦平面芯片与读出电路的冷压焊互连工艺；本发明利用镍或铜作为铟柱支撑和电气连通金属，避免了冷压焊互连过程中由于铟柱变形导致的热导增大问题，从而提高焦平面阵列探测器的性能。 |
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