| 专利名称 | 一种全硅化金属栅体硅多栅鳍型场效应晶体管的制备方法 | 申请号 | CN201110190699.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102867751A | 公开（授权）日 | 2013.01.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 周华杰;徐秋霞 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 专利有效期 | 一种全硅化金属栅体硅多栅鳍型场效应晶体管的制备方法 至一种全硅化金属栅体硅多栅鳍型场效应晶体管的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种全硅化金属栅体硅多栅鳍型场效应晶体管的制备方法，包括：在半导体衬底上形成鳍片；在所述鳍片的顶部及侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏延伸区结构；在源/漏延伸区两侧形成源/漏结构；源/漏区硅化；形成全硅化金属栅电极；接触和金属化。本发明消除了SOI器件存在的自加热效应和浮体效应，具有更低的成本；克服了多晶硅栅电极存在多晶硅耗尽效应、硼穿透效应、串联电阻大等缺点；与CMOS平面工艺的良好兼容，易于集成。 |
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