| 专利名称 | 纳米梁上MOS电容衬底的压阻结构及检测方法 | 申请号 | CN200710173683.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101251426 | 公开（授权）日 | 2008.08.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 杨恒;吴燕红;成海涛;王跃林 | 主分类号 | G01L1/18(2006.01)I | IPC主分类号 | G01L1/18(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I | 专利有效期 | 纳米梁上MOS电容衬底的压阻结构及检测方法 至纳米梁上MOS电容衬底的压阻结构及检测方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出了一种MOS电容衬底的压阻结构及检测方法，以实现对纳 米厚度梁的弯曲的压阻检测。本发明是在半导体纳米厚度梁上制作MOS电 容结构。检测时在MOS电容上施加电压使MOS电容下纳米梁中形成强反型 层与空间电荷区。不导电的空间电荷区使其下方的衬底电阻相对于梁中性面 不对称，可以作为力敏电阻用于纳米梁的弯曲的测量。由于形成强反型层后， 空间电荷区达到最大深度，MOS电容衬底力敏电阻的阻值不随栅极电压变化 而变化，避免了现有的MOS沟道压阻结构中因负反馈引起的灵敏度下降， 并且抗干扰能力强。提供的MOS电容衬底压阻结构也避免了纳米梁上制作 力敏电阻所必需解决的重掺杂浅结制作难题。 |
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