| 专利名称 | APD红外探测器及其制作方法 | 申请号 | CN201110199099.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102881761A | 公开（授权）日 | 2013.01.16 | 申请（专利权）人 | 常州光电技术研究所;中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 陆卫;李倩;曾巧玉;陈效双;王文娟;李宁;李志锋 | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;G01J5/20(2006.01)I | 专利有效期 | APD红外探测器及其制作方法 至APD红外探测器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了APD红外探测器及其制作方法，APD红外探测器包括APD及与其相结合的光子耦合腔；光子耦合腔包括金属反射层、透明介质层、金属阻挡环和金属光栅层；金属反射层、透明介质层和金属光栅层按照从下向上的顺序依次生长在APD的p+-InP结上；金属阻挡环位于透明介质层的外围，并连接金属反射层和金属光栅层；金属光栅层为同心的多环金属环结构；金属反射层为两个同心金属环结构。本发明在APD红外探测器的p+-InP结上形成MIM结构的耦合汇聚光栅，通过对入射光的汇聚来缩小APD器件的p+-InP结尺寸，缩小器件的电学有效工作尺寸，从而可以在材料和器件制备工艺走到工艺极限时，在不损失量子效率下进一步抑制暗计数。 |
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