基于横向剪切干涉结构的光学元件面形的测量方法

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专利名称 基于横向剪切干涉结构的光学元件面形的测量方法 申请号 CN201210356681.6 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102878947A 公开(授权)日 2013.01.16 申请(专利权)人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明(设计)人 戴凤钊;唐锋;王向朝;张敏 主分类号 G01B11/24(2006.01)I IPC主分类号 G01B11/24(2006.01)I 专利有效期 基于横向剪切干涉结构的光学元件面形的测量方法 至基于横向剪切干涉结构的光学元件面形的测量方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 一种基于横向剪切干涉结构的光学元件面形的测量方法,测量系统包括光源、显微物镜、小孔光阑、准直物镜、剪切平板、光电探测器和计算机,测量时将待测光学元件置于准直物镜之后,并使光轴穿过待侧面的中心,测量步骤如下:①获取x方向和y方向的横向剪切干涉图;②在计算机中获取x方向和y方向的差分波前;③评价待测波前线性度,确定线性度最高的子矩形区域的初始点;④通过线性插值法计算重建的初始值;⑤通过区域法重建待测波前。本发明不增加测量次数,实现了高空间分辨率的光学元件面形的测量,并且提高了测量的精度和稳定性。

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