| 专利名称 | 深硅刻蚀方法 | 申请号 | CN201210333095.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102881582A | 公开（授权）日 | 2013.01.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 付思齐;时文华;缪小虎;周韦娟;张宝顺 | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/306(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 深硅刻蚀方法 至深硅刻蚀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种深硅刻蚀方法，用以形成台阶结构的沟槽，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形具有形成所述沟槽的窗口，利用分割线对所述窗口进行分割，所述分割线为不同台阶的分界线；s2、根据设计的光刻版图形在待加工样品上形成掩膜；s3、在掩膜下对待加工样品进行深硅ICP刻蚀，同时刻蚀掉所述分割线形成的掩膜部分。本发明的深硅刻蚀方法，可以凭借单次刻蚀形成多种不同深度台阶的沟槽，成本低，成功率高。 |
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