| 专利名称 | 半导体器件结构及其制作方法 | 申请号 | CN201110198180.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102881634A | 公开（授权）日 | 2013.01.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;尹海洲 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件结构及其制作方法 至半导体器件结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件结构及其制作方法。该方法包括：在半导体衬底上形成至少一条连续的栅极线；绕所述栅极线形成栅极侧墙；在所述栅极线的两侧，在所述半导体衬底中形成源/漏区；绕所述栅极侧墙的外侧形成导电侧墙；以及在预定区域处，实现器件间电隔离，被隔离的栅极线部分形成相应单元器件的栅极，被隔离的导电侧墙部分形成相应单元器件的接触部。本发明的实施例特别适用于集成电路中接触部的制造。 |
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