| 专利名称 | 一种具有异质结的碳纳米管垂直阵列结构的制备方法 | 申请号 | CN201210345378.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102862974A | 公开（授权）日 | 2013.01.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 侯鹏翔;宋曼;刘畅;成会明 | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种具有异质结的碳纳米管垂直阵列结构的制备方法 至一种具有异质结的碳纳米管垂直阵列结构的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及异质结碳纳米管垂直阵列结构的可控制备领域，具体为一种具有异质结碳（氮掺杂/未掺杂）的碳纳米管垂直阵列结构的可控制备方法。异质结也指分子内节，是由两种不同类型的碳纳米管即氮掺杂和未掺杂碳纳米管在连接处形成。以沉积在Si基片或SiOX/Si基片上的铁为催化剂，利用化学气相沉积法，在碳纳米管垂直阵列生长过程中，适时加入氮源，获得氮掺杂/未掺杂的碳纳米管异质结垂直阵列，并可对异质结的长度、个数和结构等进行有效、精确控制。本发明提供的可控制备异质结垂直阵列结构的方法简单，异质结结构明显，且异质结过渡区窄、结构均一，可望在二极管、纳米开关、放大器等领域获得应用。 |
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