| 专利名称 | 基于洛仑兹力力学效应的磁声电阻抗成像系统及成像方法 | 申请号 | CN201210393793.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102860825A | 公开（授权）日 | 2013.01.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 刘国强;夏慧;李士强;李艳红;夏正武;陈晶;黄欣 | 主分类号 | A61B5/053(2006.01)I | IPC主分类号 | A61B5/053(2006.01)I;A61B8/00(2006.01)I | 专利有效期 | 基于洛仑兹力力学效应的磁声电阻抗成像系统及成像方法 至基于洛仑兹力力学效应的磁声电阻抗成像系统及成像方法 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 一种基于洛仑兹力力学效应的磁声电阻抗成像系统及成像方法，包括超声驱动激励源、超声探头阵列、控制系统、磁体系统、直流电源和信号检测处理系统。通过控制系统使超声探头阵列处于发射或测量两种模式。通过控制系统使直流电源处于导通或关断状态，进而实现施加磁场或撤销磁场两种模式。测量有磁场和无磁场两种情况下的质点振动速度比，并根据质点振动速度比的平方根重建电导率图像。本发明成像方法不需要进行电场测量，只需要测量声波信号即可，而且测量信号与电导率对应关系简单明确，易于快速图像重建。 |
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