| 专利名称 | 一种CsLiB6O10晶体的助熔剂生长方法 | 申请号 | CN200710063978.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101245490 | 公开（授权）日 | 2008.08.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 胡章贵;余雪松 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种CsLiB6O10晶体的助熔剂生长方法 至一种CsLiB6O10晶体的助熔剂生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及的CsLiB6O10晶体助熔剂生长方法：将CsLiB6O10与助熔剂按摩尔 比配料，进行预处理得熔体；助熔剂为M′X、M″X2、PbO、Bi2O3、M′3Mo3O10 或M′4V2O7，其中M′为Li、Na或K，M″为Ca、Ba或Pb，X为F或Cl；熔体降 至饱和温度以上2～10℃，引入籽晶，经恒温后降至饱和温度；并以此为起始温 度，以0.01～1℃/天速率降温；晶体生长至所需尺寸，提升籽晶杆晶体脱离液面， 以不大于20℃/h速率降至室温，得CsLiB6O10晶体。该方法可降低生长温度，减 小生长体系挥发性和粘度，利于溶质传输，可长出高光学质量光学晶体。 |
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