| 专利名称 | 背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺 | 申请号 | CN200710173512.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101241946 | 公开（授权）日 | 2008.08.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 唐恒敬;张可锋;吴小利;朱慧;李永富;宁锦华;李淘;汪洋;李雪;龚海梅 | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺 至背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种背照射铟镓砷微台面探测器芯片及制备工艺，包括在 p-InGaAs/p-InP/i-InGaAs/n-InP外延片上刻蚀形成p-InGaAs/p-InP/i-InGaAs微台面， InGaAs吸收层厚度设计为1.1um至1.5um，掺杂浓度为3-5×1016cm-3，硫化 +SiNx钝化膜并引入退火工艺，可达到有效减小表面和侧面的复合，降低界面 态密度，提高器件探测率和均匀性的目的，p型电极引出区生长有一层p-InGaAs 电极过渡层，电子束蒸发生长的Ti/Pt/Au电极与p-InGaAs接触是很好的欧姆 接触，小的接触电阻提高了探测器的性能，同时采用背照射方式，入射光不会 被p型电极引出层p-InGaAs吸收，有利于提高器件的响应率，背面低温淀积 ZnS增透膜可以进一步提高器件的响应率和量子效率。 |
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