| 专利名称 | 平衡优化的二元增强阻尼镁合金及其制备方法 | 申请号 | CN200810050372.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101240391 | 公开（授权）日 | 2008.08.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 王立民;孟凡岩;吴耀明;王立东;杨洁;毕广利 | 主分类号 | C22C23/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C23/04(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I | 专利有效期 | 平衡优化的二元增强阻尼镁合金及其制备方法 至平衡优化的二元增强阻尼镁合金及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及平衡优化的二元增强阻尼镁合金及其制备方法。该合金组成通式表示为： Mg-3wt％Zn-3wt％RE；所述的RE为La、Ce、Pr或Nd，杂质元素Fe、Ni、Cu和Si的总量小于 0.05wt％，用Mg平衡总量到100％。设计和制备中等刚度、中等强度、上中等阻尼性能和中等原 料成本的二元增强阻尼镁基合金的方法，得到的该合金有利于平衡优化刚度、宽频段、宽的应 变振幅、宽温度区间、强度、足够耐高温、抗蠕变、韧性、价格、利于防腐处理和利于热加工 等实际应用中需求的要素，利于解决工业上可供选择的阻尼镁基合金品种不多以及稀土资源选 择利用或替代利用性不足的问题。 |
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