| 专利名称 | 用于微弱光探测的量子点共振隧穿二极管及探测方法 | 申请号 | CN200710047623.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101237003 | 公开（授权）日 | 2008.08.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 陆卫;王旺平;侯颖;李天信;陈平平;张波;甄红楼;李宁;陈效双 | 主分类号 | H01L31/11(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/11(2006.01)I;G01J1/42(2006.01)I | 专利有效期 | 用于微弱光探测的量子点共振隧穿二极管及探测方法 至用于微弱光探测的量子点共振隧穿二极管及探测方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于微弱光探测的量子点共振隧穿二极管及探测方法， 该量子点共振隧穿二极管，包括：响应可见光的GaAs或响应红外的InGaAs光 子吸收区，自组装量子点、薄的AlAs双势垒层、GaAs势阱层。自组装量子点 和薄的AlAs双势垒层、GaAs势阱层的组合可以让量子点直接参与共振隧穿过 程，大大增强了共振隧穿过程对光生载流子的放大能力。该探测方法：利用在 入射光探测前先对量子点进行载流子填充形成亚稳态，进一步增强器件的光响 应能力。本发明的优点是：器件结构简单，量子点大小和密度均属常规生长范 围，制备容易；器件在液氮温度下得到了超高灵敏度的光子探测能力。 |
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