| 专利名称 | 三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法 | 申请号 | CN200810033924.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101236780 | 公开（授权）日 | 2008.08.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;丁晟;刘波;宝民;封松林;刘卫丽 | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 专利有效期 | 三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法 至三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明针对三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法。 为了最大限度的利用存储器面积，本发明要求存储阵列布满整个存储芯片。 提出的电路结构是针对存储阵列布满整个存储芯片这一特点的优化方案。存 储阵列能够布满整个存储芯片是本发明最大的优势之处。为了实现上述优势， 本发明首先对存储阵列下的外围电路作一合理分割，其次对分割后的外围电 路相互控制问题提出一套解决方案，最后基于上述两点提出了外围电路的拼 接方案。以此在电路设计层面彻底实现三维立体结构相变存储芯片。 |
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